Essiccazione efficiente del fotorestivo _con IR

Thu, 18 Jun 2026 01:20:34 +0800

Nella fase di litografia, una variazione di temperatura di soli 0,5°C durante il processo di essiccazione può essere sufficiente per rendere inutilizzabile un intero lotto di wafer. Il “soft bake” serve a eliminare completamente i solventi presenti nei wafer; il “hard bake”, invece, serve a fissare i parametri di temperatura desiderati. Quando l’uniformità termica non è garantita, il controllo della qualità dei wafer diventa impossibile e il numero di particelle presenti nei wafer aumenta.

Quello che abbiamo costruito, e perché è importante
Abbiamo installato il modulo di essiccazione su emettitori a onde corte NIR, dotati di sistema termico basato sul quarzo. Questo permette di ottenere un’Uniformità termica di ±0,1°C su tutta la superficie del wafer, oltre a una stabilità dei parametri di temperatura costante nel tempo. Il sistema è compatibile con ambienti puliti di classe 1 fino a classe 100, e non rilascia particelle durante il processo di essiccazione. I parametri termici del fotoresist sono ripetibili da un lotto all’altro, con profili di temperatura che seguono esattamente le specifiche richieste.

Fotoresistenza on Radiant Infrared Heating

Essiccazione efficiente del fotorestivo _con IR