IR on Radiant Infrared Heating

Hujung gentian seramik untuk pemancar IR

Sat, 25 Jul 2026 02:53:25 +0800

Dapatkan lebih banyak haba di tempat yang sebenarnya diperlukan: Emitter IR yang dilapisi emas
Ketika anda memanaskan wafer silikon, setiap titik tenaga sangat penting. Masalah dengan emitter IR biasa ialah ia mudah kehilangan haba. Sebahagian besar haba tersebut hilang melalui bahagian belakang lampu, sehingga menyebabkan pembaziran tenaga dan pemanasan berlebihan pada mesin.

Kami mengatasi masalah ini dengan melapisi permukaan kuarsa tersebut dengan emas.
Mengapa emas? Kerana emas sangat efektif dalam memantulkan sinaran inframerah. Aluminium atau keluli yang telah diproses pun tidak mampu memberikan prestasi yang sama. Dengan meletakkan lapisan emas pada bahagian belakang emitter, haba tersebut akan dipantulkan kembali ke arah wafer.

Penderia IR berketepatan tinggi untuk wafer

Sat, 25 Jul 2026 02:32:29 +0800

Hentikan penggunaan haba yang berlebihan: Cara yang lebih efisien untuk memproses wafer
Mari kita bincangkan tentang ketuhar jenis resistif yang digunakan sebelum ini. Memang ia berfungsi, tetapi pada dasarnya ia hanyalah alat pemanas yang besar. Anda perlu mengeluarkan banyak wang untuk memanaskan seluruh bilik serta udara di dalamnya, semata-mata untuk membawa wafer ke suhu yang tepat. Ini merupakan pembaziran tenaga.

Itulah sebabnya kami beralih kepada kaedah pemanasan menggunakan sinar inframerah (IR). Daripada memanaskan seluruh bilik, haba diarahkan terus ke wafer. Kaedah ini lebih efisien, cepat, dan tidak menyebabkan pembaziran tenaga yang tidak perlu.

Reflektor aluminium untuk lampu IR

Sun, 28 Jun 2026 01:46:53 +0800

Di kawasan pemprosesan litografi, kita perlu memastikan semua proses berjalan dengan tepat. Sebarang penyimpangan sebanyak setengah darjah semasa proses pembakaran bahan fotoresist sudah cukup untuk mengganggu kelancaran proses tersebut. Kita perlu mematuhi spesifikasi suhu yang ditetapkan dengan ketat – kestabilan suhu ini sangat penting untuk memastikan ketepatan ukuran garisan pada permukaan wafer. Pengawalan ini bermula daripada sistem lampu IR itu sendiri.

Apa yang benar-benar penting di sini
Kita menetapkan spesifikasi reflektor aluminium untuk lampu IR agar ia dapat menghasilkan haba yang konsisten dan stabil dari segi spatial. Geometri reflektor disesuaikan supaya cahaya yang dihasilkan dapat sampai ke permukaan wafer dengan ketepatan ±0.1°C. Permukaan reflektor pula dilindungi agar ia tidak mengeluarkan gas berbahaya, sekaligus membolehkannya digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100.

Proses pembakaran bahan fotoresist yang efektif menggunakan gelombang inframerah.

Thu, 18 Jun 2026 01:20:34 +0800

Di tahap litografi, perubahan suhu semasa proses pembakaran sebanyak 0.5°C sudah cukup untuk memusnahkan keseluruhan kumpulan wafer yang diproses. Proses pembakaran “lembut” bertujuan untuk mengeluarkan pelarut daripada permukaan wafer dengan lancar; manakala proses pembakaran “keras” pula bertujuan untuk menstabilkan profil suhu wafer tersebut. Apabila keseragaman suhu terganggu, kawalan ketepatan ukuran wafer akan terjejas, dan bilangan zarah di permukaan wafer akan meningkat.

Apa yang telah kami bina, dan mengapa ia penting
Kami menggunakan modul pembakaran yang disambungkan pada pengeluar cahaya inframerah gelombang pendek, bersama-sama dengan sistem pemanasan berbasis kuarsa. Ini membolehkan kita mencapai keseragaman suhu sebanyak ±0.1°C pada seluruh permukaan wafer, serta kestabilan suhu yang tinggi sepanjang masa. Modul ini sesuai digunakan dalam ruang bersih dari kelas 1 hingga kelas 100, dan tidak menghasilkan zarah semasa proses pembakaran. Profil suhu yang dihasilkan juga konsisten dari satu kumpulan wafer ke kumpulan wafer yang lain.

Pengatur voltan untuk fab IR

Tue, 09 Jun 2026 01:15:55 +0800

Di lantai fab, pembakaran fotoresist bukanlah pilihan—ia adalah toleransi yang anda jalani. Perpindahan 0.5°C di seluruh wafer muncul sebagai variasi lebar garis selepas pendedahan, dan itu berakhir dengan kehilangan hasil, jelas dan mudah. Kami membina pengawal voltan kami untuk fab IR bagi memastikan profil terma berada di tempat yang sepatutnya: stabil, boleh diulang, dan dalam kawalan. Apa yang penting, secara teknikal IR memanaskan dengan cepat, tentu, tetapi ia hanya berguna apabila medan haba adalah seragam. Pengawal kami mengekalkan kawalan voltan yang ketat pada bas pemancar IR, jadi output tetap stabil walaupun terdapat pelanggaran garis dan pertukaran beban. Anda mendapatkan keseragaman sub-milimeter di seluruh zon panas dan kestabilan setpoint ±0.1°C di pesawat wafer. Itu bukan tagline—ia adalah pengurangan yang boleh diukur dalam kecerunan terma. Unit ini serasi dengan bilik bersih untuk Kelas 1–100, dengan bahan dan pembungkusan dipilih untuk mengekalkan jumlah zarah yang rendah. Penghasilan zarah sifar adalah sasaran, dan kami memantau ini dengan pemantauan dalam proses. Mengapa ia berfungsi dalam praktik Pembakaran lembut dan keras menjadi boleh diramal. Resipi yang sama, hari yang sama, syif yang sama, hasil terma yang sama. Kebolehulangan itu mengurangkan sisa, memendekkan kitaran kelayakan, dan melindungi bajet terma anda pada nod yang lebih maju. Penggunaan tenaga juga menurun—regulasi yang stabil menghalang overshoot dan memastikan pemancar beroperasi pada kecekapan yang dimaksudkan. Bergantung kepada kebolehpercayaan 24/7, tanpa waktu henti yang tidak dirancang akibat dari perpindahan terma. Apa yang perlu anda tahu Pemasangan adalah mudah, tetapi beban IR perlu sepadan dengan penarafan arus pengawal. Sahkan ketahanan pemancar dan susun atur bas; larian feeder yang panjang boleh memperkenalkan parasit yang akan menyusahkan anda. Rancang untuk pengurusan terma yang betul di sekitar pengawal dan pastikan jarak untuk mengelakkan titik panas tempatan. Padankan pengawal dengan pemancar, dan proses akan tetap dalam spesifikasi.