<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Pengilap on Radiant Infrared Heating</title>
		<link>http://radiant-ir-heater.com/ms/tags/pengilap/</link>
		<description>Recent content in Pengilap on Radiant Infrared Heating</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Sat, 20 Jun 2026 02:23:20 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://radiant-ir-heater.com/ms/tags/pengilap/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Pemanas inframerah untuk proses pelinciran dan pengembangan bahan.</title>
				<link>http://radiant-ir-heater.com/ms/posts/coater-developer-infrared-heater/</link>
				<pubDate>Sat, 20 Jun 2026 02:23:20 +0800</pubDate>
				<guid>http://radiant-ir-heater.com/ms/posts/coater-developer-infrared-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://radiant-ir-heater.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png&#34; alt=&#34;Pemanas inframerah untuk proses pelinciran dan pengembangan bahan.&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di bahagian proses litografi, perubahan suhu sebanyak 0.5°C semasa proses pembakaran lembut atau keras bukanlah “penyimpangan yang kecil”. Ia merupakan pengurangan kualiti produk yang dihasilkan – ini dapat dilihat dengan jelas pada graf pelbagai suhu pada wafer serta pada hasil kerja yang tidak berkualiti. Pemanas inframerah yang &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;digunakan&lt;/a&gt; dalam proses pembakaran &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;perlu&lt;/a&gt; memastikan kestabilan suhu yang tinggi, agar sesuai dengan spesifikasi optik dan bahan fotoresist yang digunakan.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Kami merancang pemanas ini agar dapat dikawal pada tahap wafer itu sendiri. Array pemancar inframerah akan menghantar tenaga secara langsung ke wafer, sehingga proses pembakaran berlaku dengan cepat tanpa menyebabkan &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;peningkatan&lt;/a&gt; suhu yang berlebihan di dalam bilik proses. Kestabilan suhu pada permukaan wafer kekal dalam lingkungan ±0.1°C – ini bermakna bahagian tepi wafer akan mendapat suhu yang sama seperti bahagian tengahnya.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
