<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Dọn Dẹp on Radiant Infrared Heating</title>
		<link>http://radiant-ir-heater.com/vi/tags/d%E1%BB%8Dn-d%E1%BA%B9p/</link>
		<description>Recent content in Dọn Dẹp on Radiant Infrared Heating</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>vi</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Tue, 23 Jun 2026 13:22:11 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://radiant-ir-heater.com/vi/tags/d%E1%BB%8Dn-d%E1%BA%B9p/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Lò sưởi hồng ngoại dùng sau khi vệ sinh wafer</title>
				<link>http://radiant-ir-heater.com/vi/posts/post-cleaning-wafer-infrared-heater/</link>
				<pubDate>Tue, 23 Jun 2026 13:22:11 +0800</pubDate>
				<guid>http://radiant-ir-heater.com/vi/posts/post-cleaning-wafer-infrared-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://radiant-ir-heater.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png&#34; alt=&#34;Lò sưởi hồng ngoại dùng sau khi vệ sinh wafer&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Trong quá trình sản xuất, một lượng hơi ẩm nhỏ còn sót lại sau khi làm sạch, cùng với sự phát triển trở lại của lớp oxit tự nhiên trên bề mặt wafer, có thể làm giảm khả năng bám dính của chất phủ quang học. Chỉ cần một điểm nóng nhỏ thôi cũng đủ khiến quy trình xử lý wafer bị sai lệch. Những hậu quả của việc này là sự suy giảm chất lượng wafer sau khi gia công, hoặc xuất hiện các vấn đề liên quan đến cấu trúc bề mặt wafer trong quá trình in ấn. Chúng tôi đã thiết kế máy sưởi bằng tia hồng ngoại để loại bỏ những yếu tố gây ổn định không tốt này.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
