Di tahap litografi, perubahan suhu semasa proses pembakaran sebanyak 0.5°C sudah cukup untuk memusnahkan keseluruhan kumpulan wafer yang diproses. Proses pembakaran “lembut” bertujuan untuk mengeluarkan pelarut daripada permukaan wafer dengan lancar; manakala proses pembakaran “keras” pula bertujuan untuk menstabilkan profil suhu wafer tersebut. Apabila keseragaman suhu terganggu, kawalan ketepatan ukuran wafer akan terjejas, dan bilangan zarah di permukaan wafer akan meningkat.
Apa yang telah kami bina, dan mengapa ia penting
Kami menggunakan modul pembakaran yang disambungkan pada pengeluar cahaya inframerah gelombang pendek, bersama-sama dengan sistem pemanasan berbasis kuarsa. Ini membolehkan kita mencapai keseragaman suhu sebanyak ±0.1°C pada seluruh permukaan wafer, serta kestabilan suhu yang tinggi sepanjang masa. Modul ini sesuai digunakan dalam ruang bersih dari kelas 1 hingga kelas 100, dan tidak menghasilkan zarah semasa proses pembakaran. Profil suhu yang dihasilkan juga konsisten dari satu kumpulan wafer ke kumpulan wafer yang lain.
Mengapa cara ini berkesan
Proses pembakaran “lembut” dan “keras” boleh dilakukan pada platform pemanasan yang sama, sehingga perbezaan suhu antara oven yang berbeza dapat dielakkan. Dengan cara ini, prosesnya menjadi lebih efisien, jumlah wafer yang rosak berkurangan, dan penggunaan tenaga juga berkurangan kerana cahaya inframerahlah yang digunakan untuk memanaskan wafer, bukan seluruh ruang pemanasan.
Kebolehpercayaan modul ini sangat tinggi – komponennya direka untuk beroperasi secara berterusan, dan ia mampu bertahan lebih dari 5,000 jam tanpa penurunan prestasi melebihi 5%. Ini bermakna campur tangan yang diperlukan adalah minimum, dan kawalan suhu yang konsisten dapat dicapai untuk setiap wafer yang diproses.
Apa yang perlu anda plankan
Modul ini boleh disambungkan ke sistem sedia ada melalui antaramuka mekanikal dan elektrikal yang standard. Namun, ia memerlukan saluran kawalan 24V yang khusus, serta sistem penyejukan yang efektif untuk mengekalkan keseragaman suhu.
Lakukan ujian awal untuk menentukan perbezaan suhu antara chuck dan wafer. Setelah itu, prestasi pembakaran akan tetap konsisten tanpa memerlukan campur tangan operator yang banyak.