在芯片制造过程中，如果光刻胶烘烤温度出现0.2℃的波动，就会导致芯片的尺寸均匀性下降，进而影响成品率。为此，我们设计了专门的半导体激光二极管加热器，以从源头控制这种温度波动。因为在半导体制造中，温度控制并非辅助手段，而是核心工艺环节。
红外精准控制：亚毫米级均匀性，可重复性强
我们结合了近红外光源与低热容的晶圆加热技术，从而确保热场保持稳定，其均匀性可达到亚毫米级别，边缘与中心的温差也极小。在整个活性区域内，晶圆的温度均匀性可控制在±0.1℃以内，且不同批次之间的差异也很小。
该加热器的响应速度快且可控，因此无论是温和烘烤还是强力烘烤，都能始终保持在规定范围内，无需反复调整参数。
为何适用于光刻及光刻胶烘烤过程
在光刻过程中，光刻胶的性能取决于其经历的温度变化，而不仅仅是由显示屏上显示的设定值决定的。我们的激光二极管加热器能够保持这种温度稳定性的，从而减少线条宽度的变化，保护那些至关重要的层结构。
该加热器可在1–100级洁净室中使用，不会产生任何颗粒物，且光学路径是密封的，因此不会让污染物影响加热效果。这样一来，就能实现24/7不间断运行，同时降低能耗，减少耗材更换次数——而不影响烘烤质量。
安装与兼容性：为实际生产环境做好准备
该设备可以直接安装到现有的晶圆处理装置中，但仍然需要精确的对准以及符合洁净室要求的安装方式。其热性能取决于正确的发射率设置以及环境温度的控制。
只需进行短暂的调试，即可确定最佳参数并确认温度均匀性。一旦完成校准，整个工艺就能保持稳定，无需再频繁调整。